утверждение конфигурации РОХС кремния модуля ФФ300Р12КТ4 1200В 300А ИГБТ двойное

                                                                Модуль FF300R12KT4 IGBT

Сборник-emittersaturationvoltage Kollektor-излучателя-Sättigungsspannung IC = 300 a, VGE = 15 v IC = 300 a, VGE = 15 v IC = 300 a, VGE = 15 v VCE сидел 1,75 2,05 2,10 2,15 V V ворота-Schwellenspannung Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gatethresholdvoltage v IC = 11,5 мам, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 v Gateladung Gatecharge VGE = -15 v… +15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj v QG 2,40 = Ω Eingangskapazität Inputcapacitance 25°C RGint 2,5 f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 v, VGE = 0 v Cies nF 19,0 Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 v, VGE = 0 сборников-emittercut-offcurrent Kollektor-излучателя-Reststrom v Cres 0,81 nF VCE = 1200 v, VGE = 0 v, Tvj = 25°C МОРОЗИТ ворота-emitterleakagecurrent Ворот-излучателя-Reststrom 5,0 мам VCE = 0 v, VGE = 20 v, nA Einschaltverzögerungszeit Tvj = 25°C IGES 400, поворот-ondelaytime induktiveLast, inductiveload IC = 300 a, VCE = 600 v VGE = ±15 v RGon = 1,8 Ω td на 0,16 0,17 0,18 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit, induktivAnstiegszeit, времени нарастания induktiveLast, inductiveload IC = 300 a, VCE = 600 v VGE = ±15 v RGon = 1,8 Ω tr 0,04 0 045 0,05 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit, поворот-offdelaytime induktiveLast, inductiveload IC = 300 a, VCE = 600 v VGE = ±15 v RGoff = 1,8 Ω td с 0,45 0,52 0,54 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit, induktiveLast Falltime, inductiveload IC = 300 a, VCE = 600 v VGE = ±15 v RGoff = 1,8 Ω tf 0,10 0,16 0,18 µs µs µs Tvj = поворот-onenergylossperpulse 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls IC = 300 a, VCE = 600 v, LS = 30 nH VGE = ±15 v, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = эра 16,5 1,8 Ω 25,0 30,0 mJ mJ поворот-offenergylossperpulse mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls IC = 300 a, VCE = 600 v, LS = 30 nH VGE = ±15 v, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,8 Ω Eoff 19,5 29,5 32,5 mJ mJ mJ Tvj = ≤ 15 v 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE, VCC = 900 v VCEmax = VCES - LsCE ·µs ≤ 10 ISC tP di/dt, Tvj = 125°C 1200 Wärmewiderstand, ChipbisGehäu

Q1. Что ваши термины паковать?

: Вообще, мы пакуем наши товары в нейтральных белых коробках и коричневых коробках.

Если вы законно регистрировали патент, то мы можем упаковать товары в ваших заклеймленных коробках после получать ваши письма утверждения.

Q2. Что ваше MOQ?

: Мы обеспечиваем вам небольшое MOQ для каждого деталя, его зависим ваш специфический заказ!

Q3. Вы испытываете или проверяете все ваши товары перед доставкой?

: Да, мы имеем тест 100% и проверяем все товары перед доставкой.

Q4: Как вы делаете наше дело долгосрочное и хорошее отношение?

Мы держим хорошее качество и конкурентоспособная цена для обеспечения наших клиентов помогает;

Мы уважаем каждого клиента по мере того как наши друг и мы задушевно сделать дело и сделать друзей с ними, им нет что-то которое можно заменить.

Q5: Как связаться мы?
: Отправьте ваши детали во внизу, щелчок дознания «отправьте " теперь!!!

CO. технологии Шэньчжэня Hongxinwei, Ltd

Принять новую технологию, для произведения продуктов качества, предложить обслуживание высоко-класса.

Улучшайте систему управления непрерывно для того чтобы соотвествовать требованию клиента для изделий высокого качества и обслуживаний.

Почему выберите нас?

• 100% новое и originao с ценой преимущества
• Высокая эффективность
• Быстрая доставка
• Профессиональное обслуживание команды
• 10 электронных блоков многолетнего опыта
• Агент электронных блоков
• Скидка преимущества логистическая
• Превосходное послепродажное обслуживание